產品展示
半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS；立式LPCVD采用鐘罩式結構，設計嵌套腔體機械手傳片組件、舟旋轉組件，具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩定性高等優點。
LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS。
專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理，可實現SiC片在高溫真空環境下完成活性工藝； 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環節； 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度；
專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實現SiC片高溫環境下完成高溫氧化工藝； 設備適用于SiC功率器件制造中的高溫氧化工藝環節； 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度。
該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝； 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。
該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ； 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。
本設備主要是用于制備單晶金剛石。可激發高穩定度的等離子團，從而確保單晶生長的持續性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長（無銥法），將原料放在垂直的坩堝內， 然后從坩堝尖端開始通過預設好的溫度梯度區作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。
本設備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長。