SiC籽晶粘接設備
所屬分類：
SiC單晶生長設備
概要：
本設備是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨上。提高籽晶粘接質量是保證高 品質SiC晶體生長的首要前提。
關鍵詞：
SiC籽晶粘接設備
SiC籽晶粘接設備
產品概述/Product Introduction：
本設備是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨上。提高籽晶粘接質量是保證高 品質SiC晶體生長的首要前提。
The equipment is to bond SiC seed crystals to graphite by means of an organic adhesive.Improving the bonding quality of seed crystals is the primary prerequisite to ensure the growth of high quality Sic crystals.
產品特點/Product Characteristics：
- 晶圓尺寸:6-8英寸 Nafer size: 6-8 inches
- 溫度范圍:溫度200-800℃，溫度均勻性±2℃ Temperature 200-800 C, temperature uniformity±2 C
- 壓力:最大2萬N，力均勻性＜±1% Pressure Maximum 20,000 N,Force Uniformity<±1%
- 真空度:≤10Pa Vacuum pressure:≤10Pa
- 壓頭:柔性壓頭/硬性壓頭 Indenter: Flexible indenter/rigid indenter
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PVT法長晶爐——電阻爐
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