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山東力冠微電子裝備

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HVPE長晶爐——臥式

本設備主要用于氮化鎵(GaN)單晶生長;還可用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)、 磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)等外延生長。

HVPE長晶爐——立式

本設備主要用于氮化鎵(GaN)單晶生長;還可用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)、 磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)等外延生長。

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