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本設備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長。
本設備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長。
本設備是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨上。提高籽晶粘接質量是保證高 品質SiC晶體生長的首要前提。
本設備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長。
本設備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長。
液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實現SiC單晶的生長，理論上更容易獲得高質量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅動力來實現晶體的生長。
LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于Poly, D/P Poly, SiN,SiO2薄膜的生長。
? 微波等離子化學氣相沉積技術(MPCVD) , 通過等離子增加前驅體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量的金剛石單晶和多晶薄膜
專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實現SiC片高溫環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性氣體氧化爐，設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節，加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度。
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長
? 本設備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長