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? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理，可實現SiC片在高溫真空環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理，可實現SiC片在高溫真空環境下完成活性工藝 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度
? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜，LPCVD過程是在低壓下進行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大，使生長的薄膜均勻性好，此外基片可以豎放使得設備裝片量大，特別適用于工業化生產
? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜，LPCVD過程是在低壓下進行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大，使生長的薄膜均勻性好，此外基片可以豎放使得設備裝片量大，特別適用于工業化生產
? PECVD主要應用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長，工作原理是在低壓引入高頻射頻電源，采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電，形成等離子體狀態，產生大量的活性基團，這些活性基團在襯底材料表面發生化學反應并沉積到襯底表面，生長出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
? 該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業的擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ? 設計了硅片生產的多種工藝性能需要，具有生長效率高、產品性能優越的特點 ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩定性高等優點 ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝
◆ 主要用于半導體器件退火及燒結等工藝，可進行真空、氣體保護等 ◆ 設備結構新穎,操作方便 ◆ 在一臺設備上可以完成多個工藝流程
◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系 ◆ 在半導體科學技術的發展中，氣相外延發揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術生長的砷化鯨(GaAs)純度高、電學特性好，廣泛的應用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應晶體管等微波器件中