liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網站首頁
關于我們
公司簡介
企業文化
專利證書
產品展示
半導體工藝設備
化合物半導體設備
新聞資訊
公司新聞
行業資訊
合作伙伴
工程團隊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯系我們
English
關鍵詞:
SiC高溫退火設備
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理,可實現SiC片在高溫真空環境下完成活性工藝 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度
SiC高溫退火
怎么才能選擇一款適合您的?
讓我們協助您!
我們的專家盡快與您聯系,滿足您更多需求。
最新產品
LPCVD立式爐管設備
LPCVD臥式爐管設備
SiC高溫退火爐
SiC高溫氧化爐
臥式爐
立式爐
MPCVD長晶爐
坩堝下降法(vb)長晶爐
HVPE外延爐——臥式
HVPE外延爐——立式
最新新聞
力冠動態 | 力冠亮相第八屆國際碳材料大會
力冠動態 | 山東力冠亮相第五屆亞太碳化硅及相關材料國際會議
力冠動態 | 省委社會工作部到山東力冠參觀調研
力冠動態 | 濟南市工業和信息化局黨組書記、局長魏斌一行人到山東力冠參觀考察
全省“綠色先行”媒體采訪走進山東力冠參觀考察
力冠:亮相第四屆人工晶體材料青年學術會議
在線留言
第一代半導體工藝設備
第三代半導體工藝設備
石墨烯薄膜設備
晶體生長設備
快速退火爐
地址:濟南市槐蔭區濟南寬禁帶半導體產業園
電話:15562450816
郵箱:liguan1218@163.com
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網站建設:中企動力 濟南二分 | 標簽 | 營業執照 | 城市分站