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山東力冠微電子裝備

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晶體提拉

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HVPE長晶爐——立式

本設備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長。

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晶體提拉設備

◆ 直拉法晶體生長專用設備，可實現在高壓、真空和保護氣氛下直拉生長晶體 ◆ 采用自動稱重結構，在保證晶體品質的前提下實現了直拉晶體的自動生長過程

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